光刻為什么需要智能型圖形反轉(zhuǎn)真空系統(tǒng)/氨氣烘箱？

智能型圖形反轉(zhuǎn)真空系統(tǒng)/氨氣烘箱定制的背景

   在曝光小尺寸圖形時(shí)，我們傾向于使用正膠，這一點(diǎn)在前面已經(jīng)討論過(guò)了。其中一個(gè)原因就是正膠適于使用暗場(chǎng)掩模版做孔洞。暗場(chǎng)掩模版大部分被鉻覆蓋，因?yàn)殂t不會(huì)像玻璃一樣易損，所以缺陷比較少。然而，一些掩模版用來(lái)曝光島區(qū),而不是孔洞，比如金屬層掩模版上是島區(qū)圖形。遺憾的是，用正膠做島區(qū)的光刻需要使用亮場(chǎng)掩模版，而它的玻璃容易損傷。

   一種使用正膠和暗場(chǎng)掩模版做出島區(qū)的工藝是圖像反轉(zhuǎn)。它采用了傳統(tǒng)的暗場(chǎng)掩模版成像方法(見(jiàn)下圖)，在曝光結(jié)束后，光刻膠里的圖形與想要得到的圖形是相反的，也就是說(shuō)，如果接著顯影的話，會(huì)得到孔洞而不是島區(qū)。

智能型圖形反轉(zhuǎn)真空系統(tǒng)/氨氣烘箱的工藝標(biāo)準(zhǔn)  

  圖形反轉(zhuǎn)工藝的主要步驟為將涂膠的晶圓放置在有氨蒸氣的智能型圖形反轉(zhuǎn)真空系統(tǒng)/氨氣烘箱中。氨蒸氣穿透光刻膠，改變其極性。將晶圓從真空烘箱中取出，再進(jìn)行泛光曝光，從而完成整個(gè)圖形反轉(zhuǎn)工藝。氨氣烘焙和泛光曝光的效果是改變曝光區(qū)域和非曝光區(qū)域的相對(duì)分解率，在接下來(lái)的顯影步驟便可以實(shí)現(xiàn)圖形反轉(zhuǎn)了。這一工藝可以實(shí)現(xiàn)與非圖形反轉(zhuǎn)工藝同樣的分辨率。